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Improvement of Single Event Transient Effects for a Novel AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistor with a P-GaN Buried Layer and a Locally Doped Barrier Layer
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商品詳細情報
| 管理番号 |
新品 ：786201682
中古 ：786201682-1 |
メーカー | 9dc6dec9804e5 | 発売日 | 2025-04-27 15:59 | 定価 | 14000円 | ||
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| カテゴリ | |||||||||
Improvement of Single Event Transient Effects for a Novel AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistor with a P-GaN Buried Layer and a Locally Doped Barrier Layer
Frontiers | Mapping and visualization of global research progress on deubiquitinases in ovarian cancer: a bibliometric analysis,Regulation of Vascular Injury and Repair by P21-Activated Kinase 1 and P21-Activated Kinase 2: Therapeutic Potential and Challenges,Improvement of Single Event Transient Effects for a Novel AlGaN/GaN High Electron-Mobility Transistor with a P-GaN Buried Layer and a Locally Doped Barrier Layer,Construction of N−E bonds via Lewis acid-promoted functionalization of chromium-dinitrogen complexes | Nature Communications
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